Создан рабочий образец оперативной памяти на основе магнитоэлектрического эффекта


В наши дни практически все электронные гаджеты имеют оперативную память. Любое программное обеспечение гаджета завязано на функционировании оперативной памяти. Однако как и у всех предметов и материалов нашей природы, у оперативной памяти тоже есть свои минусы - это высокий уровень энергопотребления. На этот минус было найдено эффективное и перспективное решение, с помощью совместных усилий Международной лаборатории LIA LICS и ИРЭ им. В. А. Котельникова, которые смогли разработать оперативную память нового поколения, которая потребляет значительно меньше электроэнергии и может существенно повысить скорость и производительность устройств, в которых она будет использоваться.

Оперативная память

Ячейка стандартной RAM состоит из микротранзистора, который регулирует доступ к конденсатору. Конденсатор может иметь 2 значения в свою очередь: заряженное (1) и разряженное (0). Новый тип оперативной памяти “магнитно-электрическая память (MELRAM)” включает в себя 2 элемента: особая слоистая структура и пьезоэлектрическая подложка. Пьезоэлектрические составляющие обладают способностью создавать электрический потенциал если их деформировать и деформироваться, если его к ним приложить. Слоистая структура в свою очередь имеет высокую магнитоупругость, то есть магнитные свойства в ней изменяются при деформации. Логические 0 и 1 присваиваются к слоистой структуре из-за анизотропии, которая определяет два направления намагниченности. Уникальным является то, что MELRAM сохраняет своё состояние даже при исчезновении электропитания.

Эксперты-разработчики по этой теме сделали следующее высказывание: “Индустрия RAM в настоящее время чрезвычайно развита: высокие скорости, малогабаритность, однако её структура не может преодолить один очень существенный недостаток - это низкая энергоэффективность. MELRAM позволит уменьшить энергозатраты на чтение и запись информации в десятки тысяч раз. Был создан экспериментальный образец для демонстрации его работы размером около 1 мм, также эти технологии могут быть нанометрическими, аналогично по своим размерам с теми, которые используются в стандартных RAM слотах”

Память 1 память 2

 

В момент, когда к ячейке памяти MELRAM приложен электрический потенциал, пьезоэлектрический элемент подвергается деформации. В зависимости от типа деформации меняется магнетическое направление и осуществляется запись информации. В момент, когда изменилось направление магнитного поля, образуется дополнительный электрический потенциал в образце, который можно измерить и узнать состояние. из-за того, что при считывании может произойти изменение намагниченности в ячейке, то затем нужно перезаписать в эту ячейку информацию повторно.

P.S. Если у вас возникли проблемы с техникой, обращайтесь в наш компьютерный сервис, также вы можете закать заправку картриджей на выезде.

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить